- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
در ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید3 R 20 MT 12 – GeneSiC Semiconductor 3 – 3rd Generation +15 V Gate Drive (2 - 2 2nd Generation +20 V Gate Drive) R, S – RDS(on) Rating Rating Prefix Prefix ; ; S S = = …
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور. ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی ( JFET ) ترانزیستورهای اثر میدانی ( MOSFET) ترانزیستورهای اثر میدانی (FET ) ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی (BJT ) کاربرد ترانزیستور در مدار الکترونیکی چیست؟این ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهیدبازدید: ۲۰۸۶. ماسفت‌ها سوییچ های ایده‌آلی هستند که برای کنترل جریان بار یا در مدارات CMOS به کار می‌روند برای اینکه یک ترانزیستور به مثابه یک کلید عمل کند باید یا در ناحیه اشباع (روشن) و یا در ...
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC SiC MOSFETs Gen2 and Gen3 • Wafer and die cost comparisons between 1200V SiC MOSFET devices from different players on the market Discover the cost and technology choices of the first commercially available discrete 3300V SiC MOSFET from GeneSiC. REVERSE COSTING® –STRUCTURE, PROCESS & COST REPORT Title: GeneSiC …
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, ... : GeneSiC Semiconductor Inc. 43670 トレードセンタープレイスストリート. 155 ダレス, VA 20166 ; オフィス : +1 (703) 996-8200 ; ファックス : +1 (703) 665-2347 ;
به خواندن ادامه دهیدبا استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, quality and ruggedness to enable more efficient and smaller systems. ... : GeneSiC. 43670 . 155, VA 20166 ; : +1 (703) 996-8200 ;
به خواندن ادامه دهید"With the acquisition of GeneSiC, Navitas has become the industry's only pure-play, next-generation power semiconductor company. GeneSiC is an ideal SiC partner for Navitas with its industry-leading performance, world-class robustness, and the broadest product portfolio in SiC from 650V to 6,500V.
به خواندن ادامه دهیدTests of circuit efficiency and junction temperatures on a 3.3 kV / 400 A GeneSiC SiC MOSFET, 3.3 kV / 400 A Si IGBT and a series connection of two 1.7 kV / …
به خواندن ادامه دهیدنوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است ...
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC's next-generation 650V to 3300V SiC MOSFETs feature superior performance, quality and ruggedness to enable more efficient and smaller systems. Toggle navigation. …
به خواندن ادامه دهیدماسفت هایی که در توان های بالا می توانند مورد استفاده قرار گیرند، ماسفت های قدرت Power MOSFET نامیده می شوند. این نوع از ماسفت ها در ولتاژهای پایین عملکرد خیلی خوبی دارند و همچنین سوئیچینگ آن ها با ...
به خواندن ادامه دهیدGeneSiCのしい3300Vおよび1700VSiC MOSFET, 1000mΩおよび450mΩオプションでSMDおよびスルーホールディスクリートパッケージとして, いレベルとスイッチングをとするシステムけににされてい …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهیداز ترانزیستورها در اندازه‌های کوچک و انواع گسسته، می‌توان برای ساخت سوئیچ‌های الکترونیکی ساده، منطق دیجیتال و مدارهای تقویت‌کننده سیگنال استفاده کرد. هزاران، میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در کنار یکدیگر ...
به خواندن ادامه دهیدمزایای استفاده از ترانزیستور اثر میدان (JFET) • ترانزیستور JFET مقاومت ظاهری بسیار بالایی دارد. • ترانزیستور JFET از جمله دستگاه‌های الکترونیکی با مصرف بسیار پایین است. • انواع مختلف ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیدAs one of the first SiC device companies, GeneSiC developed cutting-edge SiC technologies for government bodiesⁱ, focused heavily on performance and robustness, and released several …
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFET SiC SBD 6500V/25A SiC 。. 2 6.5kV SiC MOSFET 2 6.5kV SiC (SBD)。. 15mil, 1 (b), 1 (c ...
به خواندن ادامه دهیدنکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدigfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهیدنام پایه های ترانزیستور را می‌توان با استفاده از همین شکل ظاهری تشخیص داد. نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با نگاه کردن به جهتی که پیکان به سمت آن نشان می‌دهد، به راحتی تشخیص داد.
به خواندن ادامه دهیدdevices made of SiC to make optimal use of such proper-ties to achieve a high-breakdown voltage, fast-operating, and low on-resistance device.(1) The first commercialized SiC …
به خواندن ادامه دهیدSilicon carbide (SiC) transistors are increasingly used in power converters, placing high demands on the size, weight and/or efficiency. The outstanding material properties of …
به خواندن ادامه دهیدThe modules are built upon GeneSiC die that have already made a mark in terms of superior performance, reliability, and ruggedness. Examples include a SiCPAK half-bridge module, rated at 6 mOhm, 1,200 V with industry-leading trench-assisted planar-gate SiC MOSFET technology. Multiple configurations of SiC MOSFETs and MPS diodes will …
به خواندن ادامه دهیدOur Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy-efficient power switches when we created the industry's first fully-qualified Silicon Carbide MOSFET in 2011, and we have been perfecting the ...
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC SiC MOSFETs Gen2 and Gen3 • Wafer and die cost comparisons between 1200V SiC MOSFET devices from different players on the market Discover the cost and …
به خواندن ادامه دهید2. SiC Chip Development 2.1 Second-generation planar MOSFETs We have been developing second-generation planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors …
به خواندن ادامه دهیدUnternehmen . Adresse : GeneSiC Semiconductor Inc.. 43670 Trade Center Place Ste. 155 Dulles, werden 20166 Vereinigte Staaten von Amerika ; Büro : +1 (703) 996-8200 Fax : +1 (703) 665-2347 Skype : Genesicsemi E-Mail an : [email protected]
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند.
به خواندن ادامه دهیدمقاله تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره *** این فایل شامل تعدادی فرمول می باشد و در سایت قابل نمایش نیست ***تحليل عملکرد ترانزيستورهاي تک الکتروني در دماي اتاق با تغييرات جزيره چکيده ...
به خواندن ادامه دهیدIn this article, a recessed source trench silicon carbide (SiC) MOSFET with integrated MOS-channel diode (MCD) is proposed and investigated by TCAD …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه‌بندی می‌شوند.
به خواندن ادامه دهیددر این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیدMOSFET SiC et SiC Schottky MPS ™ avec une robustesse et une fiabilité supérieures pour augmenter la durabilité du système dans les environnements difficiles. ... SOURCE DE COURANT L'infrastructure informatique est activée par le SiC Power MOSFET de GeneSiC et le SiC Schottky MPS ™ optimisé pour réaliser des alimentations, UPS et ...
به خواندن ادامه دهید