ماسه عمدتاً دی اکسید سیلیکون است و کوارتز شکل کریستالی رایج آن است. شیشه نیز با آن ساخته می شود.سیلیس زمانی تشکیل می شود که دو عنصر فراوان زمین یعنی اکسیژن و سیلیکون به یکدیگر پیوند می خورند.
به خواندن ادامه دهیدمقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمهرسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدعناصر (مانند آلومینیوم، منیزیم، کلسیم، سدیم، پتاسیم و آهن) به شکل سیلیکات. شکل اکسید شده مانند دی اکسید سیلیکون و سیلیکات ها به طور خاص نیز در پوسته زمین رایج است و جزء مهمی از گوشته زمین است.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور چگونه ساخته می شود؟ ترانزیستور از سیلیکون، یک عنصر شیمیایی موجود در ماسه ساخته می شود که خاصیت رسانایی ندارد.
به خواندن ادامه دهیدigfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهیددر دیتاشیت ترانزیستور، این ولتاژ به صورت ولتاژ اشباع CE و با نماد V CE(sat) تعریف میشود که همان ولتاژ لازم کلکتور-امیتر برای برای اشباع است. این مقدار معمولاً در حدود ۰٫۰۵ تا ۰٫۲ ولت است.
به خواندن ادامه دهیداصطلاحات انگلیسی مشابه با واژه تخصصی metal - oxide silicon device و معنی فارسی آنها در لیست زیر ارائه شده اند. وسیله ریز آینه ای رقمی [ دی ام دی] وسیله ای نیمرسانا که از ماتریسی از حدود نیم میلیون آینه ی ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیددر این آموزش تقویت کننده ماسفت را بررسی میکنیم. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا به اختصار ماسفت (MOSFET)، یک انتخاب عالی برای تقویت کنندههای خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور دارای سه لایهاست که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون. برای این ماده، در ناحیه میکروالکترونیک و فوتوولتائیک، غیرفعال سازی سطحی معمولاً توسط اکسیداسیون به پوشش سیلیکون دیاکسید انجام میشود. غیرفعال سازی باعث افزایش کارایی سلولهای ...
به خواندن ادامه دهیدواژههای کلیدی: ترانزیستور اثر میدانی فلز- نیمه هادی؛ سیلیسیم روی عایق؛ ناحیه اکسید اضافی؛ ماکزیمم توان خروجی؛ مشخصات فرکانسی: مراجع
به خواندن ادامه دهیدتحقیقات وسیعی برای تولید سرامیک های بسیار مقاوم در برابر ضربه مثل کاربید سیلیسیم، نیترید سیلیسیم و زیرکونیا در جریان است. هدف اصلی آن است که تردی آنها را کاهش داد تا بتوانند در موتورهای دیزلی ...
به خواندن ادامه دهیدالکترونیک. تقویت کننده ماسفت (MOSFET) «ترانزیستور اثر میدان نیمهرسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویتکنندههای خطی سیگنال کوچک.
به خواندن ادامه دهیددر آموزشهای پیشین مجله فرادرس، با مواد رسانا و نارسانا آشنا شدیم. نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها چیزی بین رسانایی هادیها (اغلب فلزات) و غیرهادیها یا عایقها (مانند سرامیکها) است.
به خواندن ادامه دهیدنیترید سیلیسیم یک ترکیب شیمیایی از عناصر سیلیکون و نیتروژن است.. Si 3 N 4 از نظر ترمودینامیکی پایدارترین نیتریدهای سیلیسیم است. از این رو، Si 3 N 4 هنگام اشاره به اصطلاح "نیترید سیلیکون" از نظر تجاری مهمترین نیتریدهای ...
به خواندن ادامه دهیدPDF | در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمههادی در تکنولوژی SOIمعرفی میشود که مشخصات ...
به خواندن ادامه دهیدگالیم آرسنید (GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیمرسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است. گالیم آرسنید در تولید افزارههایی مانند مایکروویو ، دیودهای ...
به خواندن ادامه دهیدیک قطعه چندگیتی، ماسفت چندگیتی یا ترانزیستور اثر میدانی چندگیتی ( MuGFET) به یک ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز - اکسید و نیمرسانا) اشاره دارد که شامل بیش از یک گیت در یک قطعه تکی است. گیتهای ...
به خواندن ادامه دهیدBJT یکی از رایجترین انواع ترانزیستور است و میتواند NPN یا PNP باشد. درواقع یک ترانزیستور BJT از سه پایانه تشکیل شده است: امیتر، بیس و کلکتور. یک BJT میتواند یک سیگنال الکتریکی را تقویت کند یا ...
به خواندن ادامه دهید-2 ساختار ترانزیستور اثرمیدان سیلیکونی-1-2 ساختار کلی. ماسفت یا ترانزیستورهای اثر میدان نیمه رسانا- اکسید- فلز معروفترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است.
به خواندن ادامه دهیداکسید بازی (اکسید فلز) چیست و چه ویژگی دارد؟. خواندن این مطلب 6 دقیقه زمان میبرد. اکسید بازی اکسیدهایی هستند که خصوصیات بازی را در تقابل با اکسیدهای اسیدی نشان می دهند و در واکنش با آب یک باز ...
به خواندن ادامه دهیدکاربرد ترانزیستور ها. کاربرد ترانزیستور به عنوان سوییچ. کاربرد ترانزیستور به عنوان آمپلی فایر. ترانزیستور را می توان نیمههادی تعریف کرد که عمدتاً از ۳ ترمینال ساخته شده و برای تقویت یا ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم دی اکسید یا اکسید سیلیسیم با نام علمی سیلیس و در مکمل های غذایی با نام سیلیکون یا سیلیکا شناخته می شوند. هنگامی که دو عنصر سیلیکون و اکسیژن با هم ترکیب می شوند، سیلیس (SiO2) را تشکیل می دهند.
به خواندن ادامه دهیدساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت (mosfet)، یا به عبارت دیگر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز، یک دستگاه نیمه هادی است که به طور گسترده برای اهداف سوئیچینگ و برای تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده میشود، استفاده میکند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آنجایی که ...
به خواندن ادامه دهیددر سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاههای بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخهای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان FET ، به دو زیر گروه گیت ایزوله شده (Insulated Gate) که ترانزیستورهای اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز (Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا MOSFET نیز نامیده میشوند و …
به خواندن ادامه دهیدبررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو; ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As
به خواندن ادامه دهیدماسفتهای p-channel و n-channel به دو شکل اساسی، نوع پیشرفته و نوع تخلیه در دسترس هستند. با کانال تهی شونده (DMOSFET) با کانال تشکیل شونده یا بهبود یافته (EMOSFET) در خرید ترانزیستور ماسفت توجه داشته باشید که ...
به خواندن ادامه دهیدماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمهرسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروفترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به ...
به خواندن ادامه دهید۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل میشود.
به خواندن ادامه دهید