- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیدمقدار آن معمولاً در حدود 100 است، اما بسته به اینکه از چه ترانزیستوری استفاده می‌شود و چه میزان جریانی از آن عبور می کند، می‌تواند از 50 تا 200 و حتی 2000 نیز باشد.
به خواندن ادامه دهیدOne such game-changer is the use of wide band-gap materials like silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN), which offer better power conversion efficiency and smaller size than traditional silicon-based parts. Qorvo's SiC-FET technology takes it a step further—a 750V device packed in a tiny TO-Leadless (TOLL) package.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند ...
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, NC and AUBURN, MI – November 2, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading global provider of connectivity and power solutions, and SK …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای سیگنال کوچک تقریباً در همه انواع تجهیزات الکترونیکی استفاده می شوند و هم چنین این ترانزیستورها در چندین کاربرد استفاده می شوند، برخی از آن ها سوئیچ ON یا OFF برای استفاده عمومی ...
به خواندن ادامه دهیدThe acquisition of UnitedSiC has extended Qorvo's reach into the fast-growing markets for electric vehicles (EVs), industrial power, circuit protection, …
به خواندن ادامه دهید100. $1.80. Buy. Qorvo's UJ3D06506TS is a 6 A, 650 V SiC Merged PiN Schottky (MPS) diode in a TO-220-2L package. With zero reverse recovery charge and 175 C maximum junction temperature, this diode is ideally suited for high frequency and high efficiency power systems with minimum cooling requirements. Key Features.
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای JFET) Junction Field Effect Transistors) در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع ...
به خواندن ادامه دهیدمزایای ترانزیستور. معایب ترانزیستورها. انواع ترانزیستور. ترانزیستورهای پیوندی یا اتصالی (BJT) ترانزیستور NPN. ترانزیستور PNP. ترانزیستور اثر میدانی (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی JFET. Channel N-JFET.
به خواندن ادامه دهیدانواع ترانزیستور. ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) ترانزیستور اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOSFET) مغز ما که برای فکر کردن و به خاطر سپردن از 100 ...
به خواندن ادامه دهید- 202111 3 —、、 RF Qorvo®, Inc.（：QRVO）,（SiC）UnitedSiC。. UnitedSiC ...
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo®(Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that …
به خواندن ادامه دهیدمی توان ترانزیستور ها را در بسته هایی چید (گیت های منطقی) می گویند و می توانند دو عدد 1 و 1 را باهم جمع کنند و یا می توان آنها را در آرایشی خاص قرار داد تا کارهای بسیار بزرگی را با استفاده از سرعت سوئیچینگ – 100 میلیون بار بر ...
به خواندن ادامه دهیدمی توان از آن در مدار دیجیتال استفاده کرد. ماسفت می تواند به عنوان یک تقویت کننده فرکانس بالا استفاده شود. می توان از آن به عنوان یک عنصر پسیو(غیرفعال) مانند مقاومت، خازن و سلف استفاده کرد.
به خواندن ادامه دهیدSiC FETs. Qorvo's high-performance silicon carbide (SiC) FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, standard thru-hole (including …
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has acquired Princeton ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ها جدا از این که به عنوان سوئیچ کار می کنند، به عنوان تقویت کننده نیز کار می کنند، جریان های الکتریکی کوچکی را می گیرند و جریان خروجی بسیار بالا تری را در کانال دیگر تولید می کنند.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای نانو لوله کربنی. یکی از سوالات مهم این است که آیا ترانزیستورهای cnt می توانند مزایای عملکردی بهتری نسبت به سیلیکون در طول های زیر ۱۰ نانومتر ارائه دهند یا خیر.
به خواندن ادامه دهیدHighest-Performance, Most Efficient SiC FETs. Delivered. With R DS(on) and package combinations ranging from 5.4 to 60 mohm in the 750V UJ4C/SC series and 23 to 70 mohm in the 1200V UF4C/SC series, our Gen 4 SiC FETs provide power designers with the industry's best performance and multiple device options, enabling more design flexibility …
به خواندن ادامه دهیدساختار ترانزیستورهای اثر میدان. ترانزیستورهای اثر میدان عنصری سه پایه هستند شامل GATE، Drain، Source که به صورت قطعه جداگانه موجود می باشند و مهمترین استفاده از آن ها در ساخت مدارهای مجتمع IC ها می باشد. ...
به خواندن ادامه دهیدQorvo offers a wide array of silicon carbide (SiC) FETs, JFETs and Schottky Diodes. Our SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, standard thru-hole and surface mount packages, with excellent cost effectiveness. Our SiC JFETs are high-performance normally-on JFET transistors with ultra-low on ...
به خواندن ادامه دهیدمقاله تحلیل عملکرد ترانزیستورهای تک الکترونی در دمای اتاق با تغییرات جزیره *** این فایل شامل تعدادی فرمول می باشد و در سایت قابل نمایش نیست ***تحليل عملکرد ترانزيستورهاي تک الکتروني در دماي اتاق با تغييرات جزيره چکيده ...
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, NC – January 24, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq:QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, today announced a …
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, NC – August 17, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading global provider of connectivity and power solutions, today introduced the QPD1034, a 1700 watt high power RF Gallium Nitride (GaN) pallet that supports Tactical Air Navigation (TACAN) and Distance Measuring Equipment (DME) applications for air traffic control. …
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدQorvo's silicon carbide (SiC) JFETs are high-performance, normally-on JFET transistors, from 650 to 1700 V, with ultra-low on-resistance (RDS (on)) as low as 25 mohms. Gate charge (QG) is also low, allowing for low conduction and reduced switching loss. These products are also ideal for circuit protection applications.
به خواندن ادامه دهیدExplore Silicon Carbide (SiC) power products, solutions and more on the Qorvo website: SiC power products: SiC FETs; SiC JFETs; SiC Diodes; SiC power resources: FET-Jet …
به خواندن ادامه دهیدGreensboro, NC, March 20, 2023 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading global provider of connectivity and power solutions, will showcase a new surface-mount TO-leadless (TOLL) package for its high-performance, 5.4 milliohm (mΩ) 750V SiC FETs. This is the first product in a family of 750V SiC FETs that will be released in the TOLL …
به خواندن ادامه دهیدGreensboro, NC, November 3, 2021 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has acquired Princeton, New Jersey-based United Silicon Carbide (UnitedSiC), a leading manufacturer of silicon carbide (SiC) power semiconductors. The acquisition of United Silicon Carbide ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه‌بندی می‌شوند.
به خواندن ادامه دهیدQorvo, United SiliconCarbide (UnitedSiC), (SiC) 。, United Silicon Carbide Qorvo (EV)、、、 ...
به خواندن ادامه دهیدThe acquisition of UnitedSiC has extended Qorvo's reach into the fast-growing markets for electric vehicles (EVs), industrial power, circuit protection, renewables and data center power. This post is a collection of blogs that provide you with a deep dive into a comprehensive understanding of silicon carbide (SiC) power semiconductors and …
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, NC – July 26, 2022 – Qorvo ® (Nasdaq: QRVO) today announced seven 750V silicon carbide (SiC) FETs in the surface mount D2PAK-7L package. With this package option, Qorvo's SiC FETs are tailored for the rapidly growing applications of onboard chargers, soft-switched DC/DC converters, battery charging (fast …
به خواندن ادامه دهیدNews: Microelectronics 4 November 2021. Qorvo acquires silicon carbide power semiconductor supplier UnitedSiC. Qorvo Inc of Greensboro, NC, USA (which provides core technologies and RF solutions for mobile, infrastructure and defense applications) has acquired silicon carbide (SiC) power semiconductor manufacturer …
به خواندن ادامه دهیداین ترانزیستورهای اثر میدانی فت دارای دو نوع n و p هستند. در ترانزیستورهای اثر میدانی فت نوع n زمانی که گیت نسبت به سورس مقدار مثبت داشته باشد جریان از درین به سورس عبور می کند .
به خواندن ادامه دهیدGREENSBORO, N.C., Nov. 03, 2021 (GLOBE NEWSWIRE) -- Qorvo ® (Nasdaq: QRVO), a leading provider of innovative RF solutions that connect the world, announced today that it has acquired Princeton, New Jersey-based United Silicon Carbide (UnitedSiC), a leading manufacturer of silicon carbide (SiC) power semiconductors. The acquisition of United …
به خواندن ادامه دهید