- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
نقد و بررسی اجمالی. 12 ماسفتی و 12 دیودی فوجی ژاپن 200 آمپر واقعی-دو ولوم نمایشگر- فن بلبرینگی DC دور بالا سلف خروجی TDK ژاپن 6 خازنه و دو رله. کیفیت بسیار بالا و 200 آمپر واقعی. مشخصات کامل-عکس و دیگر ...
به خواندن ادامه دهیدDMP34M4SPS-13 P34M4SSSilkscreen:P34M4SSP-channel enhancement mode MOS30V 21A1. 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production2. Thermally Efficient Package-Cooler Running Applications3.
به خواندن ادامه دهیدWolfspeed's family of 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for use in high power applications such as UPS; motor control and drives; switched-mode power supplies; solar and energy storage systems; electric vehicle charging; high-voltage DC/DC converters; and more.
به خواندن ادامه دهیدNovember 1, 2021, Lake Forest, CA - SemiQ today announced the launch of its 2nd Generation Silicon Carbide power switch, a 1200V 80mΩ SiC MOSFET, expanding its portfolio of SiC power devices. This MOSFET complements the company's existing SiC rectifiers at 650V, 1200V and 1700V. SemiQ has engineered this MOSFET to provide …
به خواندن ادامه دهیدThe MJE13009 is designed for high-voltage, high-speed power. switching inductive circuits where fall time is critical. They are. particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such. as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay. drivers and Deflection circuits.
به خواندن ادامه دهیدIRF3205/IRF3205PbF. N CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,55V,110A (80A 100C), TO-220 ماسفت قدرت 55 ولت 110 آمپر IR... +1. 30,300 تومان. +20.
به خواندن ادامه دهیدخرید و فروش قطعات اورجینال الکترونیک به ...,خرید قطعات دستگاه جوش,خرید آی جی بی تی,فروش آی جی بی تی,خریدماسفت,فروش ماسفت,خریدترانزیستور ... ماژول 1200 ولت 150 آمپر -نیپا اورجینال / 1200V,150A, IGBT Modules,nippa,2 ...
به خواندن ادامه دهیدNew highly versatile 650 V STPOWER SiC MOSFET in 4-lead HiP247 package. Enabling excellent switching performance thanks to its source sensing pin, the SCTWA35N65G2V …
به خواندن ادامه دهیدTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن +1 181,900 تومان
به خواندن ادامه دهیدMOS channel is on a different SiC face, which has implications for the MOS channel resistance and oxide quality. Due to the superior materials properties of SiC, the drift layer providing electric field blocking can be much thinner for SiC than for Si, and the doping level can be higher, offering lower resistance [1].
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت 30 ولت 11.4 آمپر SI4435DDY-T1-GE3 30. سازنده: Vishay Siliconix. 45,500 تومان. 1. 2. 3. 7. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن با شما تماس خواهند گرفت و آماده پاسخگویی به سوالات شما می‌باشند. در این بخش از ...
به خواندن ادامه دهید15.2 %. 161,700 تومان 145,500 تومان. موجودی: 63. افزودن به سبد. توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد. برند: آترین الکترونیک پکیج: BOARD وزن: 15.1g. دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش. گروه فرعی: بردهای ...
به خواندن ادامه دهیدThe 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits and include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced …
به خواندن ادامه دهیدپس لازم است برای پایه گیت آنها مدار یا آی سی خاصی را در نظر بگیریم تا عملیات سوئیچ کردن ماسفت با سرعت بالا اتفاق انجام شود. در بازار آی سی های درایور مختلفی برای این کار وجود دارد که در این مطلب ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور 2N7002 ماسفت N-Channel SMD. ماسفت 2N7002 ماسفت SMD بیشینه ولتاژ و جریان 60V, 0.3A. زمان سوئیچ زنی 2.5ns. Power dissipation 0.83W. پکیج SOT-23.
به خواندن ادامه دهیدIC Laptop Mosfet IRFHS8342 N30V8.5A PQFN. مشخصات: 30 ولت - 8.5 آمپر - N_CHANNEL. تعداد پين: 8 پايه. پکيج: TQFN (QFN) شرکت سازنده: INFENION. جهت اطلاعات بیشتر به دیتاشیت IC IRFHS8342_N30V8.5A PQFN مراجعه نمایید.
به خواندن ادامه دهیدخرید و فروش قطعات اورجینال الکترونیک به ...,خرید قطعات دستگاه جوش,خرید آی جی بی تی,فروش آی جی بی تی,خریدماسفت,فروش ماسفت,خریدترانزیستور ... ماژول 1200 ولت 50 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,50A, IGBT Modules,SILAN,2 ...
به خواندن ادامه دهیدانواع ترانزیستورهای اثر میدانی fet و mosfet و jfet در این شاخه قرار دارند
به خواندن ادامه دهید1200V SiC MOSFET for EV Drivetrains. June 05, 2018 by Paul Shepard. Wolfspeed, A Cree Company, today announced a performance breakthrough in the …
به خواندن ادامه دهیدThe CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in TO247-3 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In …
به خواندن ادامه دهیدماسفت قدرت 100 ولت 33 آمپر با مقاومت ir فیلیپین hexfet® power mosfet, irf540n, n channel power mosfet, 100v, 33a, to-220ab rds(on) = 44mΩ قیمت 24,100 تومان
به خواندن ادامه دهیدThe CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs are offered in compact TO-247-3 and TO-247-4 packages. The TO-247-4 package contains an additional connection to the source (Kelvin connection) that is used as a reference potential for the gate driving voltage, thereby eliminating the effect of voltage drops over the source inductance.
به خواندن ادامه دهیدIn this paper, a novel 1200 V SiC trench MOSFET with a laterally widened P-shield region (LW-MOSFET) is presented by using the two-dimensional numerical simulation. Compared with the conventional trench MOSFET (CT-MOSFET), the LW-MOSFET demonstrates an effective enhancement on the short-circuit (SC) reliability and …
به خواندن ادامه دهیدتوضیحات محصول. ترانزیستورهای ماسفت تک ترنچ AIMBG120R010M1 Automotive 187A . توضیحات AIMBG120R010M1. AIMBG120R010M1 1200 ولت SiC Mosfet برای خانواده خودرو است که برای کاربردهای فعلی و آتی شارژر داخلی و DC-DC در خودروهای هیبریدی و الکتریکی توسعه یافته است.
به خواندن ادامه دهیدماسفت یک ترانزیستور نیمه رساناست. کاربرد ماسفت در دستگاه های الکترونیکی برای موارد مختلفی مانند سوئیچینگ و یا تقویت سیگنال های الکترونیکی می باشد. عملکرد ماسفت متناسب با تغییرات الکتریکی که ...
به خواندن ادامه دهیدTrends in system compact designs call for high efficiency while using a small device package. The CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V now is available in D2PAK real2pin package with current ratings from 2 A to 20 A. Combined with a Si IGBT or super-junction MOSFET, for example in a Vienna rectifier stage or PFC boost stage used in 3 …
به خواندن ادامه دهیدpackaged SiC MOSFET on the market, by benefiting from the dynamic supply chain of SiC. Their exhaustive product catalog of discrete-packaged SiC MOSFETs entails components from 750V to 3300V. In this context, System Plus Consulting presents a technology and cost analysis of two GeneSiC SiC MOSFET devices: G3R75MT12D (3rd generation, 1200V) …
به خواندن ادامه دهیدخرید و فروش قطعات اورجینال الکترونیک به ...,خرید قطعات دستگاه جوش,خرید آی جی بی تی,فروش آی جی بی تی,خریدماسفت,فروش ماسفت,خریدترانزیستور ... ماژول 1200 ولت 50 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,50A, IGBT Modules,SILAN,2 ...
به خواندن ادامه دهیدWe are introducing the CoolSiC™ MOSFET with .XT interconnection technology in a 1200 V optimized D2PAK-7 SMD package. SiC MOSFET ohmic conduction losses and fully …
به خواندن ادامه دهیدانواع ماسفت اورجینال در فروشگاه ردرونیک، ماسفت n کانال، ماسفت p کانال انتخاب دسته‌بندی انتخاب دسته‌بندی
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت irfz 48 irfz48n n-channel 60v,50a,190w,0.018 ohm برای خرید کپی این محصول 36,500 تومان خرید توضیحات
به خواندن ادامه دهیدonsemi's 1200 V EliteSiC MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and …
به خواندن ادامه دهیدNew Product. SiC 1.2 kV MOSFET are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for SiC 1.2 kV MOSFET.
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide (SiC) power transistors open up new degrees of flexibility for designers to harness never before seen levels of efficiency and reliability. High voltage CoolSiC™ …
به خواندن ادامه دهیدThe 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits and include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, low capacitance, and operate at -55°C to 175°C temperature range. The 1200V SiC …
به خواندن ادامه دهید1200V SiC MOSFET R) 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 1.80 2.00 2.20 2.40 2.60 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 ST (SiC) Nearest Comp. (SiC) Silicon MOSFET (900V) °C er er ST SiC MOSFET shows lowest Ron at high temperatures ST is the only supplier to guarantee max Tj as high as 200°C in plastic package SCT30N120
به خواندن ادامه دهیدBreakthrough Drivetrain Technology. Wolfspeed's new C3M™ 1200V SiC MOSFET technology will enable the world's most efficient EV power converter systems. It is capable of handling high current with the …
به خواندن ادامه دهید