- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
The real breakthrough in high voltage switching. Based on the advanced and innovative properties of wide bandgap materials, ST's STPOWER SiC MOSFETs feature very low R DS (on) per area, with the new SCT*N65G2 650 V and the new SCT*N120G2 1200 V product family, combined with excellent switching performance, reserve efficient and …
به خواندن ادامه دهیدورق ضد سایش هاردوکس چیست ؟ ورق ضد سایش هاردوکس یک نوع ورق فولادی است که برای مقاومت در برابر سایش، خراش و سایر خرابی های ناشی از استفاده مکرر و طولانی مدت در محیط های صنعتی سخت و برای تولید قطعات سایش پذیر به کار می رود.
به خواندن ادامه دهیدThis paper reviews the critical process steps of the fabrication process for SiC power devices, which include substrate formation, epitaxy layer, ion implantation, …
به خواندن ادامه دهیدSiC: Silicon carbide. for a more sustainable future. STMicroelectronics introduced its first SiC diodes in 2004, after several years of research and development on silicon carbide technology. SiC MOSFETs were …
به خواندن ادامه دهیدبوش لاستیکی ضد سایش پلی یورتان. Food industry silicone bushing . ارسال کلیه قطعات به تمام شهرهای ایران امکان پذیر است. صنایع لاستیک سازی تکتاز صنعت با تولید انواع بوش لاستیکی در متریال های زیر آماده خدمتگذاری به صنعتگران محترم می باشد.
به خواندن ادامه دهیدمقاومت بالایی در برابر سایش داشته باشند. انواع شفت های فولادی اکثرا با نورد گرم به ساخت و تولید می‌رسند و با نورد سرد، ماشینکاری و تراش‌کاری برای شکل گرفتن، آماده می شوند.
به خواندن ادامه دهیدWith an extended range of voltage, rating from 650 to 1700 V and higher in the near future, ST's SiC MOSFETS feature excellent switching performance combined with very low on …
به خواندن ادامه دهیدIn 2010, ROHM has introduced its first commercial SiC MOSFET into the power semiconductor market. Within the decade that has passed since then a lot of …
به خواندن ادامه دهیدE-Series Automotive-Qualified Silicon Carbide MOSFETs. 650 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs. 900 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs. 1000 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs. 1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs. 1700 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs. E-Series Automotive-Qualified Silicon Carbide MOSFETs.
به خواندن ادامه دهیدA general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power devices are covered in this paper. Additionally ...
به خواندن ادامه دهیدBased on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based …
به خواندن ادامه دهیدOwing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation …
به خواندن ادامه دهیدفرآیند ساخت و تولید انواع قطعات و تجهیزات با بکارگیری تکنولوژی جوشکاری ضدسایش و یا با استفاده از ورق های جوش سخت شده ، از دیگر فعالیتهای اجرایی کاوش جوش می باشد . در این فرآیند وابسته به شکل و ابعاد و وزن ، می توان ابتدا ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFET Finder . The STPOWER MOSFET finder is a mobile application available for Android or iOS offering a user-friendly alternative to searching through the ST online …
به خواندن ادامه دهیدContribute to sbmboy/fa development by creating an account on GitHub.
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs are similar to Si MOSFETs with respect to the device type. However, SiC is a WBG material with properties that allow these devices to operate at the same high power levels as IGBTs while still being able to switch at high frequencies. These properties translate into system benefits
به خواندن ادامه دهیدFor further information, please contact: Michael Markowitz. Director Technical Media Relations. Tel: +1 781 591 0354. Email: [email protected]. 1 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field ...
به خواندن ادامه دهیدContribute to sbmboy/fa development by creating an account on GitHub.
به خواندن ادامه دهیدویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهیدویژگی و خواص سرامیکها. از جمله بارزترین ویژگی سرامیکها می توان به مواردی مانند :سختی بالا ، مقاوم در برابر سایش ، شوک حرارتی ، نسوز ، عایق الکتریکی و حرارتی ، شفافیت ذاتی ، پایداری شیمیایی و ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFET characteristics overview. Overview of ST's 2 nd -generation STPOWER Silicon-Carbide MOSFETs. Our roadmap of SiC solutions for industrial applications. …
به خواندن ادامه دهیدSemiconductor company STMicroelectronics has introduced new silicon carbide (SiC) power modules. With five new module variants, OEMs are to be offered flexible options. The Hyundai Motor Group is the first customer on board. The Koreans use SiC technology in the Kia EV6, among others. The five power modules are based on the …
به خواندن ادامه دهیدSIC: Ceramic Filter: 1.3±0.1: 8-20: ZrO2: 0.45±0.1: 10-60: Al2O3: فیلترهای سرامیکی ... تولید قطعات مورد نیاز صنایع فولاد ، ریخته گری و ذوب ... اجرای محصول نسوزها و عایق ها مقاوم به سایش و خوردگی ...
به خواندن ادامه دهیدpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهیدجهت سفارش مطالعات بازار و طرح توجیهی ریخته گری قطعات ضد سایش ( لاینرهای آسیاب خشك تر ، شافت ها ، یاتاقان ها ، کفشکها ، قالبهای پرس کاری ) سال 1400 با نرم افزار کامفار به صورت فایل word و pdf ، جهت اخذ جواز تاسیس و وام و تسهیلات ...
به خواندن ادامه دهیدThis webinar was broadcasted Thursday, 17th September 2020. How ST's 2nd-gen Silicon-Carbide MOSFETs take efficiency to a next level: 15 kW Power Factor Conversion reference design. Join ST's one-hour webinar and discover the key benefits of 2 nd generation STPOWER Silicon-Carbide MOSFETs specifically for a Power Factor …
به خواندن ادامه دهیدCreate more efficient and compact systems than ever with STPOWER SiC MOSFETs. Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks …
به خواندن ادامه دهیدتولید اجزای c/sic با استفاده از پیش ماده های پلیمری، روش نفوذ پلیمر مذاب (lpi) یا نفوذ پلیمر و پیرولیز (pip) نامیده می شود. این روش، یکی از مناسب ترین روش های تولید قطعات cmc بزرگ و پیچیده در صنعت هوافضا، می
به خواندن ادامه دهید1 طرح توجیهی ریخته گری قطعات ضد سایش با هدف اخذ مجوز و وام. 1.1 نتایج طرح توجیهی ریخته گری قطعات ضد سایش. 1.2 احداث واحد ریخته گری قطعات ضد سایش چه مزایایی دارد؟. 1.3 سرمایه لازم برای ریخته گری قطعات ...
به خواندن ادامه دهیدto the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs are coming into prominence in select power switching applications above ½ kV, especially in those that benefit from the high-speed capability of SiC MOSFETs. This application note focuses on optimization for speed to minimize switching losses and to get the full benefit of the devices.
به خواندن ادامه دهیدوالو لاستیکی ضد سایش. ارسال این قطعه به تمام شهرهای ایران امکان پذیر می باشد. صنایع لاستیک سازی تکتاز صنعت با 15 سال تجربه در عرصه ساخت و تولید قطعات لاستیکی و پلاستیکی با یکی از کاملترین و مجهز ترین مجموعه های قطعه سازی ...
به خواندن ادامه دهیدWith an extended range of voltage, rating from 650 to 1700 V and higher in the near future, ST's SiC MOSFETS feature excellent switching performance combined with very low on-state resistance R DS (on) per area Figure Of Merit. ST SiC Diodes are available from 600 to 1200 V with single and dual diodes encapsulated in package sizes from DPAK ...
به خواندن ادامه دهیدفرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهیدHow to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. Starting from things we know, Si MOSFETs need a positive gate voltage, which is recommended around 12V or even less and the negative gate voltage should be ground …
به خواندن ادامه دهیدمقاوم در برابر سایش و خوردگی محصولات مقاوم در برابر. لوله کاربید سیلیکون، خم و زانو; آستر هیدروسیکلون کاربید سیلیکون; Apex، Spigot، Lining; صفحات، کاشی ها و بلوک های سرامیکی کاربید سیلیکون; محصولات SiCPU
به خواندن ادامه دهیدST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST's 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also feature significantly reduced switching losses with minimal variation versus the …
به خواندن ادامه دهید1 105 Thermal Conductivity (W/cm・°C) 2 4 1 1K 3 3K Melting Point (°C) Electron Saturation Velocity (x107cm/s) SiC Hexagonal Si Cubic SiC Higher temperature …
به خواندن ادامه دهید