- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
کابل مقاوم در برابر آتش. کابل های مقاوم در برابر آتش ساختاری چند رشته یا به عبارتی چند هسته ای دارند، و این بدان معناست که از چند رشته سیم تشکیل شده اند و با توجه به نوع و ساختار کابل و کاربری آن ها به یکدیگر تابیده شده اند ...
به خواندن ادامه دهیدHigh-density packaging of fast-switching power semiconductors typically requires low thermal resistance and low parasitic inductance. High-density packaging of high voltage semiconductors, such as 10kV SiC MOSFETs, has brought additional challenge. This work proposes a wire-bond-less, highly integrated planar SiC half-bridge module, with …
به خواندن ادامه دهیدmosfet. Abstract: This paper presents the characterization of the temperature-dependent short-circuit performance of a Gen3 10 kV/20 A silicon carbide …
به خواندن ادامه دهیدگواهینامه ce اروپا برای تولید سیم و کابل مقاوم در برابر حرارت و آتش; گواهینامه محصولات. گواهینامه پروانه خوداظهاری bs 7629-1; تاییدیه کابل مقاوم دربرابر آتش مطابق استاندارد bs 7629_1
به خواندن ادامه دهیدچسب سیلیکون حرارتی تایتان یک درزگیر الاستیک دائم (انعطاف پذیر) و مقاوم در برابر حرارت از جنس سیلیکون می باشد .. این چسب سیلیکون نسوز تایتان در علاوه بر کارآیی هایی که ذکر ش خواهد مهم ترین کاربرد آن برای جلوگیری از نشت و ...
به خواندن ادامه دهیدOur Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy-efficient power switches when we created the industry's first fully-qualified Silicon Carbide MOSFET in 2011, and we have been perfecting the ...
به خواندن ادامه دهیدبویلر های کم مصرف در انواع مختلف ایستاده و خوابیده از جنس چدن جهت تولید بخار صنعتی. انواع شلنگ های پارچه ای آتش نشانی ایرانی و خارجی. واحد فروش. استعلام قیمت لوله و اتصالات. 09033669991 - 09033669992. شلنگ ...
به خواندن ادامه دهیدS.I.C Device. James McBryde, Arun Kadavelugu, Bobby Compton, Subhashish Bhattacharya, Mrinal Das, Anant Agarwal," Performance comparison of 1200V Silicon and SiC devices for UPS application ",IECON 2010 – 36th Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society,2010. Gangyao Wang,Xing Huang, Jun Wang, Tiefu Zhao, …
به خواندن ادامه دهید1.خودروسازی. از ترموپلاستیکهای مقاوم در برابر گرما به منظور تولید محصولات متفاوتی در صنعت خودروسازی استفاده میشود. ارزشمند ترین خواص این ماده در این حوزه، تحمل ان در برابر دمای بالا، پایداری ...
به خواندن ادامه دهیدانتشار شعله. یکی از مهمترین موضوعات در تفاوت کابل مقاوم در برابر حرارت و کابل بازدارنده حریق انتشار شعله است. انتشار شعله به این معنا است که در صورت بروز جرقه و یک آتش سوزی کوچک، به دلیل تجهیزات قابل اشتعالی که در مجموعه ...
به خواندن ادامه دهیدThis paper presents a 10 kV SiC MOSFET based power stack, featuring medium voltage power conversion with a simple two-level voltage source converter …
به خواندن ادامه دهید۱- رنگ نسوز سیلیکونی تا دمای ۲۰۰ درجه سانتی‌گراد. بر پایه حلال. مقاومت بالا در برابر حرارت، گرما و آتش به ویژه برای سطوح فلزی. محافظت از سطوح فلزی در برابر زنگ‌زدگی و خوردگی. رنگ مقاوم به حرارت ...
به خواندن ادامه دهیدکابل 2×1.5 مقاوم در برابر حریق فویل و شیلد مقاوم در برابر آتش و در دو رشته با سطح مقطع 1.5mm بوده و جزو رایج ترین کابلها در سیستمهای اعلام و اطفاء حریق می باشند. جنس هادی این کابل ها مس غیر قلع اندود ...
به خواندن ادامه دهیدHV SiC FETs approaches the SiC limit HV SiC FETs have low condution losses Beware: MV bipolar devices (SiC IGBTS) are even better [Rothmund, IEEE JESTPE, 2018] Side …
به خواندن ادامه دهیدگواهینامه ce اروپا برای تولید سیم و کابل مقاوم در برابر حرارت و آتش; گواهینامه محصولات. گواهینامه پروانه خوداظهاری bs 7629-1; تاییدیه کابل مقاوم دربرابر آتش مطابق استاندارد bs 7629_1
به خواندن ادامه دهیدHV SiC FETs approaches the SiC limit HV SiC FETs have low condution losses Beware: MV bipolar devices (SiC IGBTS) are even better [Rothmund, IEEE JESTPE, 2018] Side Devices Res. / Switch Cond. Losses 7kV 1x parallel 400mΩ 28W 400V 3x parallel 11.3mΩ 113W Equal MV and LV conduction losses 2.6mΩwould be required (!)
به خواندن ادامه دهیدThis article presents the design and testing of a 10-kV SiC mosfet power module that switches at a record 250 V/ns without compromising the signal and ground …
به خواندن ادامه دهیدرنگ مقاوم به حرارت (۴ نوع از پرکاربردترین ها) هر سطحی که در معرض گرمای شدید قرار بگیرد با گذشت زمان دچار آسیب های بسیاری خواهد شد که. یک روش برای جلوگیری از این آسیب ها استفاده از رنگ مقاوم به ...
به خواندن ادامه دهیدPalmer, J., Ji, S. Q., Huang, X. X., Zhang, L., Giewont, W., Wang, F. F., Tolbert, L. M. (2019). Testing and validation of 10 kV SiC MOSFET based 35 kVA MMC …
به خواندن ادامه دهیدمیزان تولید الیاف پلی پروپیلن در دنیا در حدود 4 میلیون الیاف پلی پروپیلن در سال است. این الیاف برای اولین بار توسط هیئت مهندسین آمریکا (US Corps of Engineers) در سال 1965 برای ساخت بتن مقاوم به انفجار ...
به خواندن ادامه دهیدترکیبی از فیبرهای پلیمری به همراه مواد زمینه می باشد. فیبرهای FRP جزء اصلی باربر در کامپوزیت می‌باشند که بسیار مقاوم و مشخصات الاستیک بالایی دارند. ماتریس نیز مواد چسباننده مانند رزین اپوکسی ...
به خواندن ادامه دهید@article{osti_1819539, title = {Design Considerations for High-Voltage Insulated Gate Drive Power Supply for 10-kV SiC MOSFET Applied in Medium-Voltage Converter}, author = {Zhang, Li and Ji, Shiqi and Gu, Shida and Huang, Xingxuan and Palmer, James Everette and Giewont, William and Wang, Fei Fred and Tolbert, Leon …
به خواندن ادامه دهیدرنگ های نسوز و مقاوم به حرارت تا دمای ۴۰۰ درجه سانتی گراد. رنگ مقاوم به حرارت سیلیکونی ۴۰۰ درجه دارای فام ظاهری آلومینیومی یا نقره ای می باشد. ضخامت اعمالی آنها مانند نوع ۲۰۰ درجه در محدوده ۲۵ ...
به خواندن ادامه دهیدSiC devices is utilized for high frequency switching, reaches 98.6% at its peak value, proposing that SiC MOSFET's lower switching losses compared with Si IGBT. IV. CONLUSIONS This paper discussed the switching transient and switching loss of the 1200V 100A SiC MOSFET, compared it with the same rating silicon IGBT, the results
به خواندن ادامه دهیدMOSFETs or IGBTs are no longer suitable for 10kV SiC MOSFET, since the higher input voltage makes the auxiliary circuit design more difficult. Consequently, the
به خواندن ادامه دهیدM 1 M 2 M 3 M 4 5 M 6 V DC er er er R-L Load Protection and Fault Detection Card PWM Signals PWM Signals Fig. 1: Three phase converter enabled by 10kV SiC MOSFETs to be designed to ensure safe ...
به خواندن ادامه دهید1. I agree, it is quite complicated to get a good voltage distribution across all MOSFETs during turn-on and turn-off. Furthermore 10 kV is high voltage and one needs to be extremely careful with such voltage levels, which can be deadly. – Ken Grimes.
به خواندن ادامه دهید• HV SiC devices –10kV MOSFET, 15kV MOSFET, 15kV IGBT, 6.5kV JFET, 3.3kV - 5kV MOSFET • What MV Power Conversion applications are enabled • Grid integration of …
به خواندن ادامه دهیدAbstract: Ten-kilovolt SiC MOSFETs are currently under development by a number of organizations in the United States, with the aim of enabling their applications …
به خواندن ادامه دهیدنوشته شده توسط مدیر سایت 23 آذر 1397 0 نظرات. مرجع پلیمر در بازار ایران: پلیمرهای مقاوم در برابر حرارت از گروه پلیمرهایی هستند که مقاومت بالایی در برابر تخریب در دمای بالا دارند (نباید در دمای ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs capable of blocking extremely high voltages (up to 15kV); while dopant control for thin highly-doped epitaxial layers has helped enable low on-resistance 900V SiC MOSFET production. Device design and processing improvements have resulted in lower MOSFET specific on-resistance for each successive device generation.
به خواندن ادامه دهیدHigh-density packaging of high voltage semiconductors, such as 10kV SiC MOSFETs, has brought additional challenge. This work proposes a wire-bond-less, highly integrated …
به خواندن ادامه دهیددر این صفحه تعداد 223 مقاله تخصصی درباره مقاومت در برابر حرارت که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ...
به خواندن ادامه دهیدBody diode of a 10kV, 10A 4H-SiC MOSFET and 10kV, 10A 4H-SiC JBS diode, shown in Fig. 4, are subjected to the double pulse test to measure the diode switching loss.
به خواندن ادامه دهیدA Si IGBT and a series connection of two 1.7 kV / 325 A SiC MOSFETs from a third party in a 4.16 kV modular multi-level converter revealed significant benefits of the 3.3-kV SiC MOSFETs. In general, the 3.3-kV SiC MOSFETs reduced losses and enabled a smaller installed semiconductor die area, improving the power
به خواندن ادامه دهید10kV, 10A SiC MOSFET DC bus capacitor bank Inductor (6.9mH) (b) Fig. 4: Photograph of (a) 10kV, 10A 4H-SiC MOSFET die in a package without isolated base plate, and (b) the UIS test hardware setup. IV. EXPERIMENTAL RESULTS Fig. 4(a) shows the photograph of the 10kV SiC MOSFET. Its package does not have isolated base plate,
به خواندن ادامه دهیدThe implementation of a novel bidirectional medium voltage AC-DC converter based on 10kV SiC MOSFET is presented in this paper. The improved topology allows the removal of the reverse blocking silicon diode in medium voltage SiC MOSFET module. Shoot-through problems and avalanche of the integrated silicon diode in traditional medium voltage …
به خواندن ادامه دهید